大家好～沈阳工业大学2026年硕士研究生招生考试复试科目F518《集成电路专业综合》考试大纲已经公布！接下来跟着小编一起看看具体内容吧~
考试科目名称：F518集成电路专业综合
专业能力综合考核全面考查考生对本学科(专业)理论知识和应用技能掌握程度，利用所学理论发现、分析和解决问题的能力，对本学科发展动态的了解以及在本专业领域发展的潜力，创新精神和创新能力。学术学位重点考核考生的学术素养、对学科知识掌握与运用情况、科研创新能力，专业学位重点考核考生的专业基础、实践能力和职业素养。专业能力考核分为基础考核和综合考核两部分内容：
基础考核科目：集成电路（必选）
综合考核科目：数字与模拟电路、半导体物理、微电子器件原理、集成电路制造工艺（需选择3道题目，至少涵盖以上2个科目）
下面为各科目考试大纲。
集成电路
一、考试大纲援引教材
《模拟CMOS集成电路设计（第二版）》西安交通大学出版社Behzad.Razavi 2022年
《数字集成电路-电路、系统与设计(第二版)》电子工业出版社Jan M.Rabaey 2022年
二、考试要求：
系统地掌握集成电路制造工艺原理、集成电路设计方法，并能够完成基本的集成电路设计及相应版图设计。
三、考试内容：
1）集成电路中的基本元件
a:集成电路中的晶体管结构和版图
b:集成电路中的无源器件和版图
2）晶体管模型
a:晶体管的简化模型
b:晶体管的仿真分析模型
3）晶体管级电路的计算机仿真分析
a:SPICE基本语句
b:基本仿真分析
4）数字集成电路
a:静态逻辑门电路结构和版图
b:组合电路
c：触发器
d：时序电路
e：动态逻辑电路
f：存储器
5）集成运算放大器
a:运算放大器结构
b:恒流源电路
c:基准电压源电路
d:输入级电路
e:放大和输出级电路
f：模拟电路版图设计
6）集成稳压器
a:线性稳压器
b:开关型稳压器
数字与模拟电路
一、考试大纲援引教材
《模拟电子技术基础》第五版高等教育出版社童诗白、华成英2015年
《数字电子技术基础》第六版高等教育出版社阎石2016年
二、考试要求
要求考生全面系统地掌握数字电子和模拟电子技术的基本理论、基本概念、基本电路和基本分析方法，能够综合运用，具有较强的分析问题与解决问题的能力。
三、考试内容
（数字部分）
1）逻辑代数基础
a:逻辑代数的三种基本运算、逻辑代数的基本公式和常用公式。
b:逻辑函数的公式法化简、卡诺图法化简。
c:具有无关项的逻辑函数的化简。
2)组合逻辑电路
a:组合逻辑电路的分析和设计。
b:常用组合逻辑电路及应用。
c:用存储器实现组合逻辑电路。
3)时序逻辑电路
a:同步时序逻辑电路的分析和设计。
b:常用时序逻辑电路及应用。
4)脉冲波形的产生与整形
a:555定时器及其应用。
b:由555定时器构成的施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器。
（模拟部分）
1）器件特性
a：二极管、稳压管的基本特性、主要参数及其物理意义，随温度的变化规律。
b：晶体管、场效应管的类型、特性、三个工作区、特效模型。
2）放大器的基本理论
a：三种基本放大器的组成原则、工作特点、交直流通路、交流等效模型。性能参数的物理意义、求解典型参数Au、Ri、RO。
b：多级放大电路的分析方法、抑制零漂的措施。
c：频响定义、频响曲线的波特图，fL、fH、fbw定义、物理意义、影响放大器低频、高频响应的主要因素。
d：差动放大器的分析。Aud、Auc、KCMR、Ri、Ro物理意义与计算。
3）负反馈：判断各种反馈、按要求引出反馈、负反馈作用。
4）集成运放的基本运算电路电路
基本运算电路（反相、同相、跟随、求和、加减、积分、微分）的组成、分析、设计。由集成运放和模拟乘法器组成的基本运算电路及其分析方法。
5）波形的发生和信号的处理
a：正弦波振荡电路的组成、工作原理及主要参数的求解方法。
b：矩形波、三角波和锯齿波发生器的工作原理、波形分析和主要参数的求解方法。
c：精密整流电路的分析方法。
d：三种比较器（单限、滞回、窗口）的电路组成、工作原理、阈值电压的计算方法及传输特性。
e：滤波电路的概念、四种有源滤波电路的幅频特性、用途、识别和分析方法。
6）功率放大器：OCL电路组成、工作原理、估算最大输出功率和效率、功放管的选择。
7）直流电源：直流稳压电源的组成及各部分的作用。整流电路的分析方法、稳压管稳压电路的工作原理、三端稳压器的使用方法。开关电源的工作原理及特点。
半导体物理学
一、考试大纲援引教材
《半导体物理学》（第7版）.刘恩科等.电子工业出版社，2017.
二、考试要求：
全面、系统地掌握集成电路制造工程及纳电子科学相关基本概念与基础理论;具备运用半导体物理基础理论分析并解决集成电路制造领域实际问题的基本能力。
三、考试内容：
1）半导体的电子状态。
半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，III－V族化合物半导体的能带结构，硅、锗和砷化镓等常见化合物半导体的能带结构。
2）半导体中的杂质与缺陷能级。
硅、锗晶体中的杂质能级，III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级。
3）半导体中载流子的统计分布。
状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征与杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体。
4）半导体的导电性。
载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子理论。
5）非平衡载流子。
非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散与漂移，爱因斯坦关系式，连续性方程。
6）p-n结与半导体异质结构。
p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应，异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格。
7）金属和半导体的接触。
金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触。
8）半导体表面与MIS结构。
表面态，表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，表面电导及迁移率，表面电场对p-n结特性的
影响。
微电子器件原理
一、考试大纲援引教材
《微电子器件》第四版电子工业出版社陈星弼，陈勇，刘继芝，任敏2018年
二、考试要求：
掌握微电子器件的代表性器件（二极管、双极晶体管、场效应晶体管）的结构、工作原理、基本特性及其与内部载流子运动基本规律等微观过程的内在联系。
三、考试内容：
1）二、PN结
a:PN结平衡状态
b:PN结直流电流电压方程
c:PN结大注入效应
d:PN结的击穿
e:PN结势垒电容
f:PN结的交流小信号特性与扩散电容
g:PN结的开关特性
2）双极晶体管
a:均匀基区及缓变基区晶体管的电流放大系数
b：晶体管的直流电流电压方程
c：晶体管的反向特性
d：基极电阻
e:双极晶体管的功率特性
f:电流放大系数与频率的关系
g:功率增益和最高振荡频率
h:高频小信号电流电压方程与等效电路
3）集成运算放大器
a:MOSFET的基本工作原理及分类
b:阈值电压
c:MOSFET的直流电流电压方程
d:亚阈区导电
e:MOSFET的直流参数与温度特性
f:MOSFET的小信号参数、高频等效电路及频率特性
g：短沟道效应
集成电路制造工艺
一、考试大纲援引教材
《芯片制造—半导体工艺制程实用教程》．Peter Van Zant著，电子工业出版社，2014年11月。
二、考试要求：
全面、系统地掌握集成电路制造工艺相关的基本概念，微电子器件工艺基本原理、流程和操作方法。理解半导体硅平面工艺中的氧化、光刻、掺杂、隔离技术及金属化布线技术。具有分析电子器件基本结构的能力和设计各种电子器件制备流程的能力。
三、考试内容：
1）集成电路产业
集成电路的定义，特征尺寸的定义，摩尔定律
2）半导体特性及化学品
常用的半导体材料及分类，半导体的晶格及能带结构，本征半导体的导电机构，空穴，掺杂半导体，工艺水及工艺化学品
2）晶体生长及晶圆制备
硅单晶的生长工艺（直拉法和悬浮区熔法），硅晶圆的制备工艺，GaAs材料的特性，GaAs单晶的生长工艺
3）成品率及污染控制
成品率及成品率的影响因素，超净间的净化级别，工艺水的制备方法，吸杂，硅片清洗
4）热氧化
氧化层在集成电路中的应用，热氧化的分类及机理，热氧化的生长动力学，氧化层厚度的测试方法，界面态电荷及解决方法，氧化层速度的影响因素
5）光刻
光刻三要素，光刻工艺流程，正胶和负胶的区别，光刻分辨率的概念，提高光刻分辨率的方法，相移掩膜，干法刻蚀和湿法刻蚀的特点及应用，集成电路中常用材料的干法、湿法刻蚀剂
6）掺杂技术
恒定表面源扩散，有限表面源扩散，固溶度，固态、气态和液态扩散杂质源，离子注入工艺，沟道效应及解决方法，退火，结深的定义及测试方法
7）薄膜沉积
化学气相沉积的分类，集成电路中常用薄膜的沉积方法，外延，硅外延的制备方法及作用
8）金属化
集成电路中常用的互连材料及制备方法，铝的尖楔现象及解决方法，铝的电迁移现象及解决方法，互连延迟及多层互连，铜互连工艺
9）工艺集成
CMOS工艺流程
