大家好～长沙理工大学物理与电子科学学院2026年硕士研究生复试科目F1103《半导体物理》考试大纲已经公布！接下来跟着小编一起看看具体内容吧~
 
长沙理工大学2026半导体物理复试大纲
 
　　科目代码:F1103科目名称：半导体物理
　　考试要求
　　全面地掌握半导体物理的基础知识，内容包括半导体的晶格结构、半导体中的电子状态、杂志和缺陷能级、载流子的统计分布，非平衡载流子及载流子的运动规律；p-n结、异质结、金属半导体接触、表面及MIS结构等半导体表面和界面问题；以及半导体的光、热、磁、压阻等物理现象。
　　二、考试内容
　　1、半导体中的电子状态
　　电子共有化运动；晶体中的电子运动服从布洛赫定理；布洛赫波函数的意义；半导体(硅、锗)能带的特点；用能带理论解释导体、半导体、绝缘体的导电性。
　　2、半导体中杂质和缺陷能级
　　掌握点缺陷和位错缺陷对半导体性能的影响。
　　3、半导体中载流子的统计分布
　　掌握费米分布函数和玻耳兹曼分布函数及费米能级的意义；费米能级的数值与温度、半导体材料的导电类型、杂质浓度及零点的选取有关，电子浓度、空穴浓度表达式的意义；导带电子浓度和价带空穴浓度公式。
　　4、半导体的导电性
　　半导体中载流子的运动形式；欧姆定律的微分形式；载流子的漂移运动；
　　5、非平衡载流子
　　非平衡载流子及其产生，光注入条件；非平衡载流子引起的附加电导率；净复合率。
　　6、PN结
　　理解p-n结的形成原因，能够证明平衡p-n结中费米能级处处相等，能画出平衡p-n结载流子的分布图。
　　7、金属和半导体的接触
　　掌握金属和半导体功函数的定义，这是讨论接触电势差的基础；理解形成接触电势差的过程，理解表面态对接触势垒的影响以及阻挡层与反阻挡层的概念。
　　三、题型
　　试卷满分为150分，题型为计算分析题。每题30分
　　四、参考教材
　　《半导体物理(第7版)》．刘恩科主编．电子工艺出版社，2017